| 发明名称 | 氮化物半导体自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于制备以低驱动电压获得高发光输出的发光元件的氮化物半导体自立基板。其是{20-24}衍射面及{11-24}衍射面的至少一者的X射线衍射半幅值为小于等于500秒、直径为大于等于10mm的氮化物半导体自立基板，其形成步骤为：(1)在底层基板上形成具有10n个/cm2(0＜n≤10)位错密度的第一氮化物半导体层，(2)在第一氮化物半导体层上形成由氮化物半导体以外的材料构成的掩模层，(3)在掩模层以小于等于10n-2个/cm2的密度开出具有小于等于10-ncm2的开口面积的贯通膜厚方向的开口部，(4)在掩模层上形成厚度大于等于50μm的第二氮化物半导体层后，(5)去除底层基板至掩模层。 | ||
| 申请公布号 | CN1649181B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200510004816.2 | 申请日期 | 2005.01.27 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 铃木贵征 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体自立基板，其特征在于：{20‑24}衍射面的X射线衍射半幅值为小于等于50秒，直径为大于等于10mm、小于等于50.8mm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||