| 发明名称 | 化学机械研磨绝缘介质层的方法 | ||
| 摘要 | 一种化学机械研磨绝缘介质层的方法，包括：提供包括凹槽的膜层；在膜层上形成绝缘介质层，且将绝缘介质层填充满凹槽；用化学机械研磨法研磨绝缘介质层至绝缘介质层平整，所述化学机械研磨法采用的研磨液为二氧化铈。本发明降低了制造成本；并且使研磨后绝缘介质层均匀性提高；制造工艺更容易控制，不容易出现过磨现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102044409A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910206104.7 | 申请日期 | 2009.10.19 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李文明 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I;B24B29/02(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨绝缘介质层的方法，其特征在于，包括：提供包括凹槽的膜层；在膜层上形成绝缘介质层，且将绝缘介质层填充满凹槽；用化学机械研磨法研磨绝缘介质层至绝缘介质层平整，所述化学机械研磨法采用的研磨液为二氧化铈。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||