发明名称 | 相变材料信息存储方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种相变材料信息存储方法,在电子显微镜中,通过控制位置及停留时间的电子束,在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点,并对其排列结晶点进行信息的读取。包括非晶相变材料薄膜以及支持部分,非晶相变材料薄膜沉积于支持部分上,薄膜均匀且平整,通过在透射电镜或者扫描电镜下,聚焦电子束的轰击,非晶相变薄膜上被轰击的点区域经历一定长的时间会形成晶化点,通过控制电子束位置,可以在小范围内获得晶化点的阵列,通过阵列中晶化点的排布变化实现信息的存储,其具有高密度及可反复擦写等特性。 | ||
申请公布号 | CN101354911B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
申请号 | CN200810119688.X | 申请日期 | 2008.09.05 |
申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 张泽;王珂;刘攀;成岩;韩晓东 |
分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 张慧 |
主权项 | 一种相变材料信息存储方法,其特征在于:在电子显微镜中,通过控制位置及停留时间的电子束,在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点,并对其排列结晶点进行信息的读取,所述的相变材料薄膜为非晶硫系化合物薄膜,厚度在5nm‑20nm之间,相变材料薄膜沉积在支撑体上;所述的电子束及结晶点直径在3nm‑7nm之间;所述的电子束使每一点晶化的作用时间小于5秒钟。 | ||
地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 |