一种倒装焊LED芯片结构及其制作方法

摘要

一种倒装焊LED芯片结构及其制备方法，所述LED芯片包括以蓝宝石为衬底的外延层和以SiO2/Si为衬底的电极层；蓝宝石衬底的正面刻蚀有周期性结构的孔，背面刻蚀有随机图案；刻蚀有孔的蓝宝石衬底上依次生长缓冲层bufferlayer、n型GaN层n-GaN、多量子阱层MQWs和p型GaN层p-GaN作为外延层，所述p型GaN层p-GaN上刻蚀有一个或多个阴极电极槽，p型GaN层p-GaN上溅镀有p型接触层，刻蚀后露出的n型GaN层n-GaN上电镀有n型欧姆接触层，所述SiO2/Si衬底上依次沉积的钛Ti、铂Pt和金Au作为电极层，电极层上的电极层分布与刻蚀后的外延层上的电极分布一致；通过金Au焊料将蓝宝石衬底正面的外延层和SiO2/Si衬底上电极层进行粘结构成LED芯片。本结构性能稳定,电能利用率更高，使用寿命更长。

主权项

一种倒装焊LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片包括以蓝宝石为衬底的外延层和以SiO2/Si为衬底的电极层；所述蓝宝石衬底的正面刻蚀有周期性结构的孔（1），背面刻蚀有随机图案；所述刻蚀有孔的蓝宝石衬底正面上生长有外延层，所述外延层的结构依次为：缓冲层buffer layer、n型GaN层n‑GaN、多量子阱层MQWs和p型GaN层p‑GaN；所述p型GaN层p‑GaN上刻蚀有阴极电极槽，未刻蚀的p型GaN层p‑GaN作为阳极电极槽，刻蚀后露出的n型GaN层n‑GaN为阴极电极槽；作为阳极电极槽的p型GaN层p‑GaN上溅镀有p型接触层，所述p型接触层为依次溅镀的粘连层ITO、阻隔层Ni和反射层Ag；所述作为阴极电极槽的n型GaN层n‑GaN上电镀有n型欧姆接触层，所述n型欧姆接触层为在阴极电极槽内电镀的Ti/Al/Ti/Au合金；所述SiO2/Si衬底上的电极层为SiO2/Si衬底上依次沉积的钛Ti、铂Pt和金Au，电极层上的电极分布与刻蚀后的外延层上电极分布一致；通过金Au焊料将蓝宝石衬底正面的外延层和SiO2/Si衬底上电极层进行粘结，构成LED芯片。