发明名称 产生磁性偏置场的多层薄膜结构
摘要 本实用新型涉及一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构。其包括种子层与保护层;在种子层与保护层间可以设置至少一层磁性被钉扎层、至少一层非磁性钉扎层或是设置硬磁层;所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定;当种子层与保护层间设置硬磁层时,种子层与保护层的外周面上缠绕有电流导线,电流导线在通入电流时,能够对硬磁层产生的磁性偏置场进行校正。本实用新型能够在受到较大外磁场干扰,并在外磁场撤掉后,所产生的磁性偏置场可以恢复,从而使磁性传感器系统可以正常工作,且没有功耗方面的损失。
申请公布号 CN201820566U 申请公布日期 2011.05.04
申请号 CN201020217387.3 申请日期 2010.06.01
申请人 王建国;薛松生 发明人 王建国;薛松生
分类号 H01F10/10(2006.01)I;H01F10/12(2006.01)I 主分类号 H01F10/10(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种产生磁性偏置场的多层薄膜结构,其特征是,包括:种子层;至少一层磁性被钉扎层,所述磁性被钉扎层产生磁性偏置场;至少一层非磁性钉扎层,所述非磁性钉扎层为磁性被钉扎层提供磁性钉扎场,所述磁性钉扎场的方向与磁性偏置场的方向相同,磁性钉扎场能够保持磁性偏置场方向的稳定。
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