一种硫化镍纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种硫化镍纳米线阵列的制备方法。首先以多孔氧化铝为模板，在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列，之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中，电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5～0.6mol/L、硼酸浓度为0.45～0.52mol/L，以含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板为阴极，以石墨片为阳极，室温下加以直流-4.0～-2.0V的电压通过电化学置换反应获得含有硫化镍纳米线阵列的多孔氧化铝模板。本发明通过电化学置换反应能够合成更多种类的化合物半导体，拓展了电化学法在化合物半导体的应用，并且方法简单，成本低廉，有助于化合物半导体纳米结构的器件化和广泛应用。

主权项

一种硫化镍纳米线阵列的制备方法，其特征在于：首先以多孔氧化铝为模板，在其上电化学沉积硫化锌纳米线阵列，之后将含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板置于由硫酸镍盐和硼酸加水配制的电沉积溶液中，电沉积溶液中硫酸镍盐浓度为0.5～0.6mol/L、硼酸浓度为0.45～0.52mol/L，以含有硫化锌纳米线阵列的多孔氧化铝模板为阴极，以石墨片为阳极，室温下加以直流‑4.0～‑2.0V的电压通过电化学置换反应获得含有硫化镍纳米线阵列的多孔氧化铝模板。