光子混合器及其用途

摘要

光子混合器包括由用于将多数载流子电流注入半导体衬底(1)的注入接触区(3、4)以及用于聚集光电流的检测区(7、8)构成的耦合。注入接触区(3、4)掺杂有比半导体衬底(1)更高掺杂物浓度的第一传导类型(P+)的掺杂物。检测区(7、8)掺杂有与第一传导类型相反的第二传导类型(n+)的掺杂物并与半导体衬底(1)形成结(11、12)，半导体衬底(1)在所述结(11、12)周围的区域是耗尽型衬底区(101、102)。所述耦合还包括界定耦合的侧向边缘并具有比半导体衬底(1)掺杂物浓度更高的掺杂物浓度的第一传导类型(P-)的电场成形区(13、14)，其浓度例如在半导体衬底(1)和注入接触区(3、4)的掺杂物浓度之间，所述电场成形区(13、14)被设计成侧向地约束所述耗尽型衬底区(101、102)。

主权项

一种设有半导体衬底的光子混合器，所述半导体衬底具有电场区以及用于在半导体衬底中产生多数载流子电流以及关联电场的装置，所述半导体衬底掺杂有第一传导类型从而当电磁辐射在所述电场区中碰撞衬底时，在衬底中产生多对多数和少数载流子，从而引发少数载流子的光电流，所述衬底包括由用于将多数载流子电流注入半导体衬底的注入接触区以及用于聚集光电流的检测区构成的耦合，所述注入接触区掺杂有比半导体衬底更高掺杂物浓度的第一传导类型掺杂物，而所述检测区掺杂有与第一传导类型相反的第二传导类型的掺杂物并与所述半导体衬底形成结，所述半导体衬底在所述结周围的区域是耗尽型衬底区，其中所述耦合进一步包括界定所述耦合的侧向边缘并具有比所述半导体衬底的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第一传导类型电场成形区，其中所述电场成形区被设计成侧向地约束所述耗尽型衬底区。