通过改变重置振幅的PCM多层单元存储编程

摘要

本发明公开了通过改变重置振幅的PCM多层单元存储编程，具体地，为一种将一相变化存储装置中的一目标存储单元编程为一目标电阻的方法。该方法包括确定用于该相变化存储装置的一特征最低SET电流以及一相对应SET电阻。该方法包括确定用于该相变化存储装置的一特征RESET电流斜率。该方法还包括以该特征最低SET电流以及该特征RESET电流斜率作为基础来计算用于一RESET脉冲的一第一电流振幅。该方法包括将该RESET脉冲施加至该相变化存储装置中的一目标存储单元以及测量该目标存储单元的电阻。若是所测得的电阻实质上小于该目标电阻，该方法会更进一步包括施加一个或多个额外RESET脉冲。在本发明的实施例中，该一个或多个额外的RESET脉冲会具有大于一先前所施加的RESET脉冲的电流振幅。

主权项

一种将一相变化存储装置中的一目标存储单元编程为一目标电阻的方法，其中，所述相变化存储装置包括多个存储单元，每一个存储单元储存由至少二电阻状态代表的二进制数据，且所述目标存储单元属于所述多个存储单元，所述方法包括：检索用于所述相变化存储装置的一特征最低SET电流以及一相对应SET电阻，其中，所述特征最低SET电流是一SET脉冲的一最小电流振幅，所述SET脉冲是将所述相变化存储装置中的至少一存储单元的一相变化元件由一完全非结晶状态改变为一完全结晶状态所需的一电流脉冲，所述完全结晶状态包含所述相对应SET电阻；检索用于所述相变化存储装置的一特征RESET电流斜率，其中，所述特征RESET电流斜率包括将所述多个存储单元编程为所述目标电阻所必需的一RESET脉冲的相关电流振幅数值；以所述相变化存储装置的所述特征最低SET电流、所述相对应SET电阻、以及所述特征RESET电流斜率作为基础来计算用于一RESET脉冲的一第一电流振幅；将所述RESET脉冲施加至所述目标存储单元；在施加所述RESET脉冲之后，测量所述目标存储单元的电阻；以及若是所述目标存储单元的所测得的电阻实质上小于所述目标电阻，则施加一个或多个额外RESET脉冲至所述目标存储单元，直到所述所测得的电阻实质上等于所述目标电阻为止。