| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有金属层；在所述金属层表面形成粘附层；在所述粘附层表面形成第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层表面形成第二蚀刻阻挡层；在所述第二蚀刻阻挡层表面形成介质层。本发明不但能够降低半导体器件的k值，还能避免后续刻蚀工艺窗口不够宽的刻蚀工艺中阻挡层被刻穿的现象出现。 | ||
| 申请公布号 | CN102044473A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910197080.3 | 申请日期 | 2009.10.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王琪;周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有金属层；在所述金属层表面形成粘附层；在所述粘附层表面形成第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层表面形成第二蚀刻阻挡层；在所述第二蚀刻阻挡层表面形成介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||