在新工艺开发中评估套刻标记的方法

摘要

本发明公开了一种在新工艺开发中评估套刻标记的方法。先是设计一块评估掩模板，包括套刻标记外框、套刻标记内框和遮挡图形三块区域，包含了新工艺中所用到的各种式样的套刻标记图形。其次是根据新工艺中各光刻层之间的对准表，拟定各光刻层之间各种式样套刻标记的所有制作方案。再按照所述制作方案把各套刻标记分别制作在一枚按新工艺制作的硅片不同曝光单元中。再是对所制作套刻标记的套准测试信号进行评估，选出各光刻层之间的套刻标记的最优式样和方案的组合。最后将选定的套刻标记组合应用到新工艺的整套掩模板制作方案中。本发明能高效的评估出新工艺中所需要的最优的套刻标记组合，缩短新工艺的开发周期。

主权项

一种在新工艺开发中评估套刻标记的方法，其特征在于：包括：设计一块能制作出在新工艺中会使用到的所有式样的套刻标记的评估掩模板，包括套刻标记外框、套刻标记内框和遮挡图形三块区域，所述套刻标记外框、套刻标记内框和遮挡图形包括在新工艺中会使用到的所有式样且都放置在所述评估掩模板的芯片区域，同一式样的所述套刻标记外框、套刻标记内框和遮挡图形位置都一一对应；根据新工艺中各光刻层之间的对准表，拟定各需要对准的光刻层之间各种式样套刻标记的所有制作方案，即为被对准层与当前层之间各光刻层在所述各种式样套刻标记处需要遮挡图形以及不需要遮挡图形两种方案；按照所述制作方案把各需要对准的光刻层之间的所述各种式样套刻标记按照不同的式样和方案分别制作在一枚按新工艺制作的硅片的各对应光刻层的不同曝光单元中；对所制作的各光刻层之间的不同方案的所述各种式样套刻标记的套准测试信号进行评估，根据最强的套准测试信号分别选出各光刻层之间的套刻标记的最优式样和方案的组合；将选定的各光刻层之间的最优式样和方案的组合的套刻标记应用到新工艺的整套掩模板制作方案中，从而确定新工艺的整套掩模板方案。