发明名称 激光干涉纳米光刻中光束入射姿态检测及校准的方法和系统
摘要 本发明公开了一种在激光干涉纳米光刻中对光束入射姿态进行检测及校准的方法,其特征在于:在激光干涉纳米光刻中,使用CCD检测每束激光在光刻样品表面形成的光斑并进行计算机图像处理,通过光斑的形状、位置等参数来确定激光束相对于光刻样品表面的入射姿态,包括入射位置、入射角及空间角,并通过和理想入射姿态对比确定入射姿态误差。使用系统的调节装置对光束入射姿态进行相应的校准。在这种方法中,使用CCD检测光斑,计算机处理并确定多束光入射姿态,因此可以精确地检测到激光束相对于光刻样品表面的入射位置、入射角及空间角,使得入射光校准能够保证最终的光刻图案及曝光面积符合设计。该方法安装/操作简单、检测/校准快速,有利于激光干涉纳米光刻在工业生产中的应用。
申请公布号 CN102043347A 申请公布日期 2011.05.04
申请号 CN201010511168.0 申请日期 2010.10.19
申请人 长春理工大学 发明人 宋浩;王作斌;徐佳;翁占坤;宋正勋;胡贞;刘兰娇
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种在激光干涉纳米光刻中对光束入射姿态检测及校准的方法,其特征在于:在激光干涉纳米光刻中,使用CCD检测每束激光在光刻样品表面形成的光斑,通过光斑的基本参数来确定每束激光相对于光刻样品表面的入射姿态和入射姿态误差。使用系统的调节装置对入射姿态误差进行快速、实时的校准,提高每束激光相对于光刻样品表面的入射精度,保证光刻图案及曝光面积符合设计。
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