| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体晶片(1)具有主表面。主芯片区域(2)在该主表面形成。副芯片区域(3)具有比主芯片区域(2)小的面积、并且与主芯片区域(2)相比位于半导体晶片(1)的端缘侧。副芯片区域(3)具有与主芯片区域(2)相同设计的图案。由此，能够获得在半导体晶片的面内排列芯片的情况下，能够防止晶片周围部的图案不良的产生的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102044541A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN201010511008.6 | 申请日期 | 2010.10.15 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 楢崎敦司 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;徐予红 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，具备：半导体晶片，具有主表面；第一芯片区域，在所述主表面形成，并且具有第一图案；以及第二芯片区域，具有比所述第一芯片区域小的面积，并且以和所述第一芯片区域相邻的方式配置在所述主表面，并且具有第二图案，所述第二图案是与所述第一图案相同的设计图案。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||