| 发明名称 | 介质层的减薄方法 | ||
| 摘要 | 一种介质层的减薄方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；采用化学机械抛光工艺减薄介质层的第一厚度；采用等离子体刻蚀工艺减薄介质层的第二厚度，所述减薄第二厚度后的介质层均一性高于所述减薄第一厚度后的介质层。本发明能够进一步减薄介质层的厚度，提高利用本发明制造的CMOS图像传感器的敏感度。 | ||
| 申请公布号 | CN102044472A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910196935.0 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗飞;邹立 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种介质层的减薄方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；采用化学机械抛光工艺减薄介质层的第一厚度；采用等离子体刻蚀工艺减薄介质层的第二厚度，所述减薄第二厚度后的介质层均一性高于所述减薄第一厚度后的介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||