| 发明名称 | 半导体密封材料以及使用该半导体密封材料的半导体密封方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体密封材料的特征在于，由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10-7～110×10-7/℃。本发明的半导体密封材料不含对环境有害的物质，具有500℃以上的较高耐热温度，而且，可以密封镀铜铁镍合金等易氧化的金属。 | ||
| 申请公布号 | CN102046548A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200980119133.8 | 申请日期 | 2009.06.18 |
| 申请人 | 日本电气硝子株式会社 | 发明人 | 桥本幸市 |
| 分类号 | C03C3/091(2006.01)I;C03C3/089(2006.01)I;C03C3/093(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | C03C3/091(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;杨本良 |
| 主权项 | 一种半导体密封材料，其特征在于，该半导体密封材料由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10‑7～110×10‑7/℃。 | ||
| 地址 | 日本滋贺县 | ||