| 发明名称 | 选择性形成沟槽的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种选择性形成沟槽的方法。首先，提供基材。基材包含第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件具有掺杂剂。其次，进行湿蚀刻，以选择性在第二半导体元件周围的基材中形成一组沟槽、选择性对第一半导体元件进行第一源极/漏极离子注入，或是选择性对第二半导体元件进行第二源极/漏极离子注入。 | ||
| 申请公布号 | CN102044496A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910207745.4 | 申请日期 | 2009.10.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 朱品蒨;陈信琦;郑博伦 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种选择性形成沟槽的方法，包含：提供基材，该基材包含第一半导体元件与第二半导体元件，其中该第一半导体元件具有掺杂剂；进行湿蚀刻，以选择性在该第二半导体元件周围的基材中形成一组沟槽；选择性对该第一半导体元件进行第一源极/漏极离子注入；以及选择性对该第二半导体元件进行第二源极/漏极离子注入。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||