| 发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了太阳能电池及其制造方法。在制造太阳能电池的方法中，在其受光表面上形成有防反光膜的p型半导体基片装载入处理腔室。在这种情况，p型半导体基片可以沿基片支撑体的边缘装载在处理多个基片的装置的基片支撑体上，在此状态下，p型半导体基片的背面面朝上。然后在所述p型半导体基片的背面上由AlO、AlN或AlON形成具有负的固定电荷(NFC)的特性的背面电场(BSF)层。此时，可以通过在相对于喷头相对地旋转基片支撑体时，同时注入穿过各个气体注入单元的注入孔的铝源气体、第一净化气体、氧化剂气体和/或氮化剂气体，以及第二净化气体来形成BSF层。此后，背面电极形成于BSF之上，以使得背面电极与BSF层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102044576A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN201010518085.4 | 申请日期 | 2010.10.13 |
| 申请人 | IPS有限公司 | 发明人 | 朴相俊;朴成范;金颖俊;裵埈成 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 张晶 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，包括：p型半导体基片；在所述p型半导体基片受光表面的相对表面上由铝的化合物形成的背面电场(BSF)层；以及形成于所述BSF层上以与所述BSF层电连接的背面电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||