| 发明名称 | 半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以以较低温度制作而且也可以在具有挠曲性的树脂基板上形成的半导体薄膜，其是载流子浓度低而且霍尔迁移率高、另外能带间隙大的透明半导体薄膜，其中，通过使含有氧化锌和氧化锡的非晶质膜成膜，以使载流子密度为10+17cm-3以下、霍尔迁移率为2cm2/V·sec以上、能带间隙为2.4eV以上，然后进行氧化处理，从而形成透明半导体薄膜(40)。 | ||
| 申请公布号 | CN101312912B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200680042994.7 | 申请日期 | 2006.11.16 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;井上一吉;田中信夫 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;C01G19/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 一种半导体薄膜，其由含有氧化锌和氧化锡的非晶质膜构成，其特征在于，所述半导体薄膜是电阻率为102～106Ωcm、载流子密度为10+17cm‑3以下、霍尔迁移率为2cm2/V·sec以上、能带间隙为2.4eV以上的非退化半导体薄膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||