U栅晶体管和制造方法

摘要

描述了用于制造非平面多角部晶体管结构的过程。具有在其顶表面上的掩模的半导体材料的鳍部形成在第一绝缘层上。第二绝缘层形成在鳍部上而暴露了掩模的顶表面，其中保护层沉积在鳍部和第二绝缘层之间。然后，去除掩模且在鳍部上邻近保护层形成隔离物。具有底部和相对的侧壁的凹陷形成在鳍部内。栅电介质层和栅极形成在鳍部的顶表面上、相对的侧壁上和鳍部内的凹陷的底部上和相对的侧壁上。源区和漏区形成在鳍部内栅极的相对侧处。

主权项

一种形成半导体结构的方法，其包括：在第一绝缘层上形成半导体材料的鳍部，其中掩模层在鳍部的顶表面上；在鳍部上形成第二绝缘层，使得掩模层的顶表面暴露，其中保护层沉积在鳍部和第二绝缘层之间；去除掩模层；邻近保护层在鳍部上形成隔离物；和在鳍部内形成凹陷，凹陷具有底部和相对的侧壁。