| 发明名称 | 栅极形成方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极形成方法，包括：在基底上形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成具有第一图形的掩模层，所述第一图形特征尺寸大于目标图形特征尺寸；利用包含第一图形特征尺寸参量在内的两个参量调整所述掩模层的修整工艺；执行所述掩模层的修整操作，获得具有第二图形的掩模层，所述第二图形特征尺寸等于目标图形特征尺寸；以所述具有第二图形的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。可更准确地控制掩模层的修整参数，以增强基底与基底之间修整操作的一致性，进而增强刻蚀后获得的栅极特征尺寸的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN101593685B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200810113694.4 | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 张海洋;赵林林;黄怡;陈海华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种栅极形成方法，其特征在于，包括： 在基底上形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的多晶硅层； 在所述多晶硅层上形成具有第一图形的掩模层，所述第一图形特征尺寸大于目标图形特征尺寸； 利用包含第一图形特征尺寸参量在内的两个参量调整所述掩模层的修整工艺； 执行所述掩模层的修整操作，获得具有第二图形的掩模层，所述第二图形特征尺寸等于目标图形特征尺寸； 以所述具有第二图形的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||