| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层，以及依次位于栅极介电层上的复合不定型硅层、锗硅以及顶层硅，所述的复合不定型硅层、锗硅以及顶层硅构成所述半导体器件的栅极结构，其中，所述的顶层硅为单晶硅。本发明还提供了所述半导体器件的制作方法，所述半导体器件由于采用单晶的顶层硅，降低了掺杂离子的激活能量，使顶层硅的导电能力提高，降低了连接结构的电阻，除此之外，由于降低了掺杂离子的激活能量，在半导体器件的制作工艺中的激活能量低，避免了栅极结构中的锗硅中的锗向栅极介质层方向迁移，提高了栅极介质层的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101593771B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200810113665.8 | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 赵星 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层，以及依次位于栅极介电层上的复合不定型硅层、复合不定型硅层上的锗硅以及锗硅上的顶层硅，所述的复合不定型硅层、复合不定型硅层上的锗硅以及锗硅上的顶层硅构成所述半导体器件的栅极结构，其特征在于，所述的顶层硅为单晶硅。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||