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一种氧化膜做阻挡层的硅接触孔刻蚀方法，包括如下步骤：所述硅接触孔的位置定义，在所述氧化膜上利用光刻工艺定义所述位置，光刻胶在所述位置处形成一窗口；氧化膜的第一次刻蚀，以光刻胶为掩膜，利用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述位置处的所述氧化膜的上面的第一部分厚度，形成氧化膜窗口一；所述氧化膜的第二次刻蚀，以光刻胶为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述位置处的所述氧化膜的下面剩余的第二部分厚度，形成氧化膜窗口二，所述氧化膜窗口二小于所述氧化膜窗口一；硅层的第一次刻蚀，以光刻胶以及经过两次刻蚀后的所述氧化膜为掩膜，利用干法刻蚀方法刻蚀掉所述位置处的所述硅层的第一部分厚度，形成一接触孔一，接着对所述硅层进行离子注入，再去除所述光刻胶；硅层的第二次刻蚀，以经过两次刻蚀后的所述氧化膜为掩膜，利用干法刻蚀方法刻蚀掉所述位置处的所述硅层的第二部分厚度，形成接触孔二；其特征在于，还包括如下步骤：所述氧化膜的第三次刻蚀，利用湿法刻蚀工艺对所述氧化膜进行刻蚀，使所述氧化膜窗口一和所述氧化膜窗口二向外扩大并使其侧面相接形成一平整的斜面，所述氧化膜窗口一和所述氧化膜窗口二形成一具有侧面倾斜的氧化膜窗口三；所述硅层的第三次刻蚀，以所述氧化膜为掩膜，通过所述氧化膜窗口三，利用各向同性且具有硅对氧化膜高选择比的干法刻蚀工艺对所述硅层刻蚀，使所述接触孔一和接触孔二扩大并且其侧面按照所述氧化膜窗口三的侧面倾斜并相接，同时使所述接触孔二底部变圆滑，所述接触孔一和接触孔二形成一侧面倾斜底部圆滑的所述硅接触孔。 |
