晶片晶背研磨工艺

摘要

本发明提供一种晶片晶背研磨工艺。首先提供第一组件与第二组件，该第一组件包括第一半导体晶片，而该第二组件包括第二半导体晶片，其中该第一、第二组件利用介于该第一、第二半导体晶片的有源面之间的至少一热融胶膜粘合在一起，接着利用该第二组件作为载具，研磨该第一半导体晶片的晶背，然后研磨该第二半导体晶片的晶背。

主权项

一种晶片晶背研磨工艺，包含有：提供待处理工作件，其包含有第一组件与第二组件，该第一组件包括第一半导体晶片，而该第二组件包括第二半导体晶片，其特征在于该第一、第二组件利用介于该第一、第二半导体晶片的有源面之间的至少一热融胶膜粘合在一起；将该待处理工作件上载至晶片研磨机台中；利用该第二组件作为载具，研磨该第一半导体晶片的晶背；研磨该第二半导体晶片的晶背；以及将该待处理工作件从该晶片研磨机台卸载下来。