发明名称 |
半导体组件 |
摘要 |
本发明关于一种半导体组件。该半导体组件包括一基板及一芯片。该芯片电性连接至该基板。该芯片包括一芯片本体、至少一芯片焊垫、一第一保护层、一球下金属层及至少一金属柱结构。该芯片焊垫位于该芯片本体的一主动面。该第一保护层位于该主动面上,且显露部分该芯片焊垫。该球下金属层位于该芯片焊垫上。该金属柱结构与该球下金属层接触,而形成一第一接触面,其具有一第一直径。该金属柱结构与该基板的一基板焊垫电性连接,而形成一第二接触面,其具有一第二直径。该第一直径及该第二直径的比值介于0.7至1.0。藉此,该第一接触面与该第二接触面的结合力相当,可避免该金属柱结构受剪应力而破裂,进而提升结构强度并通过信赖度测试。 |
申请公布号 |
CN102044513A |
申请公布日期 |
2011.05.04 |
申请号 |
CN200910208069.2 |
申请日期 |
2009.10.21 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
罗健文;陈建汎 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种半导体组件,包括:一基板,具有一第一表面及至少一基板焊垫,该基板焊垫位于该第一表面;及一芯片,位于该基板的第一表面上,且电性连接至该基板,包括:一芯片本体,具有一主动面;至少一芯片焊垫,位于该主动面;一第一保护层,位于该主动面上,且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫;一球下金属层,位于该芯片焊垫上;及至少一金属柱结构,位于该球下金属层上,且接触该基板的基板焊垫,该金属柱结构与该球下金属层接触,而形成一第一接触面,该第一接触面具有一第一直径,该金属柱结构与该基板的基板焊垫电性连接,而形成一第二接触面,该第二接触面具有一第二直径,该第一直径及该第二直径的比值介于0.7至1.0。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |