垂直结构半导体器件

摘要

本发明公开了一种制造具有提高的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法以及一种用于大规模生产GaN基化合物半导体器件的激光剥离工艺。本发明的主旨在于在LLO之前，通过电镀法来采用直接金属支撑衬底沉积，以形成n侧顶部垂直结构。此外，紧接着p接触层采用ITO DBR层，以通过更高的反射率提高光输出。穿孔金属晶片载体也用于晶片键合，用以容易地处理以及松解。相比于传统LLO基垂直器件制造，新的制造工艺更可靠。与通过相同的GaN/InGaN外延膜制造的横向器件的光输出相比，具有n侧上部结构的新的垂直器件的光输出增加了2或3倍。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：在衬底上方形成多个半导体层；在所述多个半导体层上方形成包括至少一个电接触层的电接触层结构；在所述半导体层和所述电接触层结构之间形成粘附层；在所述电接触层结构上方形成多个金属层；将所述衬底从所述多个半导体层去除；形成与在去除了所述衬底的所述多个半导体层中至少一个电耦合的一个或多个电接触部；以及将所述多个半导体层分离成多个独立的半导体器件。