| 发明名称 | 多晶硅浮栅的制作方法以及半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种掺杂多晶硅的平坦化方法以及多晶硅浮栅的制作方法，其中所述掺杂多晶硅的平坦化方法包括：提供本征态的多晶硅，进行化学机械抛光，对多晶硅进行掺杂。其中，所述多晶硅的掺杂浓度大于5.0E+20cm-2。采用所述方法形成的多晶硅的表面平整度高。 | ||
| 申请公布号 | CN101572224B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200810105616.X | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 黎铭琦;蒋莉;邵颖;邹陆军 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种多晶硅浮栅的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有用于隔离有源区的隔离结构，隔离结构的表面高于半导体衬底；在所述半导体衬底以及隔离结构上依次形成栅氧化层和本征多晶硅；化学机械抛光所述本征多晶硅，直至暴露出隔离结构；对化学机械抛光后的本征多晶硅进行掺杂，形成多晶硅浮栅。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||