一种用于测试半导体生产工艺缺陷的测试芯片及制作方法

摘要

本发明公开了一种新型的用于半导体生产线工艺的测试芯片，包括：用于控制测试信号是否进入选中的测试单元的信号选择电路、用于选择测试单元的周围地址译码电路和用于测试生产工艺的缺陷的测试单元。本发明还公开了一种测试芯片的制作方法，包括如下步骤：1)设计周围地址译码电路；2)设计信号选择电路；3)设计测试单元；4)整合测试芯片；5)生产测试芯片；6)测量测试芯片。本发明测试芯片的测试单元适用于任何结构，不仅通过类似记忆体的周围地址译码电路来减少PAD的面积，而且通过信号选择电路共享来减少通导管数量，提高了芯片面积的有效使用率，能够较为精确地预测各个工艺模块的缺陷率，且测量速度快、结果精确。

主权项

一种用于测试半导体生产工艺缺陷的测试芯片，包括：(1)用来给测试单元赋予一个地址的周围地址译码电路，由行地址的译码电路和列地址的译码电路组成；行地址的译码电路产生行选择信号，控制信号选择电路行通导管的通断，从测试单元阵列诸多行中选出所需的行；列地址的译码电路产生列选择信号，控制信号选择电路列通导管的通断，从行地址的译码电路选择的行的多个信号通路中选出所需要的某个测试单元的信号通路；所述的行地址的译码电路由m个行地址位组成，所述的列地址的译码电路由n个列地址位组成，产生2m×2n的阵列的选择信号；m＝1，2，…，9，10…，n＝1，2，…，9，10…，m、n为自然数；(2)用于控制测试信号是否进入选中的测试单元的信号选择电路；所述的信号选择电路控制端与周围地址译码电路相连，由位于测量信号与测试单元之间的行通导管和列通导管串联而成的；当测试单元所在位置的行与列的选择信号均为高电平时，信号通路导通，使信号线上的测试信号能通过，信号线上的测试信号就能单独地进入到所述的测试单元，测试信号对相应的测试单元进行测试；(3)用于测试生产工艺的缺陷的测试单元；所述的测试单元与信号选择电路相连，按行列排布成阵列形式，每个测试单元的两端分别接有至少两个通导管；所述的测试单元的测试信号通过信号线对生产工艺中需要测试的单元进行测试；将所述的测试单元中测试功能相同或测试方法相同或测试功能和测试方法均相同的若干个测试单元组成测试模块；所述的测试单元采用短程测试芯片的测试单元，所述的测试单元的内容是由芯片设计的目的而定。