发光二极管芯片

摘要

本实用新型提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，底部是N-类型限制层；透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，在钝化层覆盖半导体外延层半通槽的底面的位置上形成有至少一个N-半通槽，使得所述的N-类型限制层在所述N-半通槽中暴露；该发光二极管芯片还包括：N-打线焊盘及至少一个N-条形电极；其中，N-打线焊盘形成在所述的钝化层上，使得N-打线焊盘不与N-类型限制层直接接触；N-条形电极形成在所述N-半通槽中暴露的N-类型限制层上；N-打线焊盘与N-条形电极电连接。本实用新型能够避免电流拥塞。

主权项

一种发光二极管芯片，其特征在于，包括生长衬底、半导体外延层和透明电极，其中，半导体外延层包括N 类型限制层、活化层、P 类型限制层，该发光二极管芯片还形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、P 类型限制层和活化层，底部是N 类型限制层；在透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，在钝化层覆盖所述半导体外延层半通槽的底面的位置上形成有至少一个N 半通槽，使得所述的N 类型限制层在所述N 半通槽中暴露；该发光二极管芯片还包括：N 打线焊盘及至少一个N 条形电极；其中，N 打线焊盘形成在所述的钝化层上，使得N 打线焊盘不与N 类型限制层直接接触；N 条形电极形成在所述N 半通槽中暴露的N 类型限制层上；N 打线焊盘与N 条形电极电连接。