发明名称 一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池
摘要 本发明涉及氢化硅薄膜太阳电池开发技术领域,特指一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池,其特征在于:在ITO透明电极和氢化硅薄膜之间设有周期为T的等离子体;等离子体由纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜组成,等离子体对于入射光的反射率尽可能为零,等离子体和氢化硅薄膜中开有通孔。本发明利用表面等离子体材料增强硅薄膜电池对光的吸收量,制备一种由表面等离子体和硅薄膜完全匹配的单结、叠层氢化硅薄膜太阳电池体系。
申请公布号 CN102044575A 申请公布日期 2011.05.04
申请号 CN201010569962.0 申请日期 2010.12.02
申请人 江苏大学 发明人 祝俊;郭立强;丁建宁;程广贵
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池,包括ITO透明电极、氢化硅薄膜和ZnO/Al背电极,其特征在于:在ITO透明电极和氢化硅薄膜之间设有周期为T的等离子体;等离子体由纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜组成,等离子体对于入射光的反射率尽可能为零,等离子体和氢化硅薄膜中开有通孔。
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