发明名称 |
一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池 |
摘要 |
本发明涉及氢化硅薄膜太阳电池开发技术领域,特指一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池,其特征在于:在ITO透明电极和氢化硅薄膜之间设有周期为T的等离子体;等离子体由纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜组成,等离子体对于入射光的反射率尽可能为零,等离子体和氢化硅薄膜中开有通孔。本发明利用表面等离子体材料增强硅薄膜电池对光的吸收量,制备一种由表面等离子体和硅薄膜完全匹配的单结、叠层氢化硅薄膜太阳电池体系。 |
申请公布号 |
CN102044575A |
申请公布日期 |
2011.05.04 |
申请号 |
CN201010569962.0 |
申请日期 |
2010.12.02 |
申请人 |
江苏大学 |
发明人 |
祝俊;郭立强;丁建宁;程广贵 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
楼高潮 |
主权项 |
一种表面等离子体氢化硅薄膜太阳电池,包括ITO透明电极、氢化硅薄膜和ZnO/Al背电极,其特征在于:在ITO透明电极和氢化硅薄膜之间设有周期为T的等离子体;等离子体由纳米氧化铝或纳米银薄膜和纳米金薄膜组成,等离子体对于入射光的反射率尽可能为零,等离子体和氢化硅薄膜中开有通孔。 |
地址 |
212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 |