| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法，包括：准备半导体基板(10)的工序，所述半导体基板(10)具有多个电极(14)，并在形成有电极(14)的面上形成有凹部(15)；在半导体基板(10)上，按照其一部分进入凹部(15)的方式形成树脂突起(20)的工序；和在树脂突起(20)上形成与多个电极(14)中的至少一个电连接的布线(30)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1901149B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200610105670.5 | 申请日期 | 2006.07.17 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 小原浩志 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：准备半导体基板的工序，所述半导体基板具有多个电极，并在形成有所述多个电极的所述半导体基板的面上形成有凹部；在所述半导体基板上形成树脂突起的工序，按照所述树脂突起的一部分进入所述凹部的方式形成，并按照在所述树脂突起与所述凹部相重叠的位置具有缩颈部的方式形成；和在所述树脂突起上形成与所述多个电极中的至少一个电连接的布线的工序，所述布线形成多根，在多根所述布线中相邻的任意两根布线之间配置有所述缩颈部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||