| 发明名称 | 化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包含由化学式1表示的环硼氮烷化合物的化学气相沉积成膜用组合物，其满足以下至少一个条件：所述组合物中各种卤素原子的含量为100ppb以下的条件，或所述组合物中各种金属元素的含量为100ppb以下的条件。在化学式1中，R<sup>1</sup>可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；R<sup>2</sup>可以相同或不同，其为氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。通过使用该组合物，可改进由含环硼氮烷环的化合物生产的薄膜的物理性质如低介电常数性和机械强度。[化学式1]<img file="200680042613.5_ab_0.GIF" wi="117" he="126" /> | ||
| 申请公布号 | CN101310038B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200680042613.5 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 株式会社日本触媒 | 发明人 | 熊田辉彦;信时英治;保田直纪;山本哲也;中谷泰隆;神山卓也 |
| 分类号 | C23C16/38(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种化学气相沉积成膜用组合物，其包括由化学式1表示的环硼氮烷化合物，在该组合物中的各种卤素的含量为100ppb以下；[化学式1]<img file="FSB00000089860200011.GIF" wi="1067" he="323" />其中，R<sup>1</sup>独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为氢原子；R<sup>2</sup>独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基，其至少之一为烷基、烯基或炔基。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||