包含不同类型表面的衬底及获得这种衬底的方法

摘要

具有较大晶体缺陷密度的支撑体、设置在支撑体的正面的第一区上的绝缘层以及设置在绝缘层上的表面层。可以至少在支撑体的正面的第二区上设置附加层，该附加层具有足以掩埋支撑体的晶体缺陷的厚度。衬底还可以包括在支撑体和绝缘层之间至少布置在支撑体的正面的第一区上的外延层。制造该衬底的方法包括以下步骤：在表面层的第一区上形成掩膜层；和去除未被掩膜层覆盖的第二区中的表面层和绝缘层。在第二区中形成附加层并接着将其平坦化。

主权项

一种用于制造半导体器件的半导体结构，该半导体结构包括：支撑体，该支撑体具有正面，并且该支撑体的尺寸大于10nm的晶体缺陷的密度大于103/cm3；绝缘层，该绝缘层设置在所述支撑体的所述正面的第一区上；表面层，该表面层设置在所述绝缘层上并且具有露出表面；以及附加层，该附加层至少设置在所述支撑体的所述正面的第二区上，并且所述附加层具有露出表面和足以掩埋所述支撑体的所述晶体缺陷的厚度。