| 发明名称 | 用于半导体器件失效分析的检测方法 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体器件失效分析的检测方法，包括：利用聚焦离子束，对产生有缺陷的半导体器件剖面进行磨削，以改变源/漏区的表面性状；利用腐蚀处理溶液，对所述半导体器件的剖面进行腐蚀，以显露出源/漏区的结剖面形貌；利用放大成像装置得到对应所述半导体器件的剖面的图像资料，观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。本发明通过聚焦离子束磨削和腐蚀处理溶液腐蚀相结合，获得易于观察的半导体器件的源/漏区的结剖面形貌，提供判断器件是否失效的依据。 | ||
| 申请公布号 | CN102044461A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910197447.1 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈险峰;韩耀梅;苏凤莲;任正鹏;王玉科 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件失效分析的检测方法，其特征在于，所述方法包括：利用聚焦离子束，对产生有缺陷的半导体器件的源/漏区进行磨削，以改变所述源/漏区的表面性状；利用腐蚀处理溶液，对所述半导体器件的剖面进行腐蚀，以显露出所述半导体器件中源/漏区的结剖面形貌；利用放大成像装置得到对应所述半导体器件中源/漏区的结剖面形貌的图像资料，观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||