| 发明名称 | 半导体器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件结构及其制造方法。其中半导体器件结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底分为器件区和虚拟区，所述虚拟区位于半导体衬底的边缘；若干绝缘层，其中一层绝缘层位于半导体衬底上；若干金属布线层，形成于各绝缘层之间；器件区导电插塞，位于各绝缘层内且贯穿绝缘层厚度，用于将各金属布线层进行互相连接；虚拟区导电插塞，位于绝缘层内且贯穿绝缘层厚度，用于将任意一层金属布线层与半导体衬底直接连接。本发明能及时释放由于刻蚀过程中在金属布线层和绝缘层里积累的电荷，避免了残留电荷导致的晶格缺陷及器件损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102044523A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910205812.9 | 申请日期 | 2009.10.14 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 谢宝强;朱旋;肖玉洁;杨兆宇 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底分为器件区和虚拟区，所述虚拟区位于半导体衬底的边缘；若干绝缘层，其中一层绝缘层位于半导体衬底上；若干金属布线层，形成于各绝缘层之间；器件区导电插塞，位于各绝缘层内且贯穿绝缘层厚度，用于将各金属布线层进行互相连接；虚拟区导电插塞，位于绝缘层内且贯穿绝缘层厚度，用于将任意一层金属布线层与半导体衬底直接连接。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||