| 发明名称 | 分立栅存储器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种分立栅存储器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅多晶硅层、硬掩膜层；对所述硬掩膜层、浮栅多晶硅层、栅介质层以及部分半导体衬底进行浅槽隔离刻蚀，形成隔离槽；在所述隔离槽内填充电介质；去除所述硬掩膜层。本发明采用自对准浅槽隔离方法形成浮栅多晶硅层，提高了浮栅多晶硅层的厚度均匀性，保证了存储单元擦除性能的一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN102044498A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910197448.6 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李勇;刘艳;周儒领;黄淇生 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅多晶硅层、硬掩膜层；对所述硬掩膜层、浮栅多晶硅层、栅介质层以及部分半导体衬底进行浅槽隔离刻蚀，形成隔离槽；在所述隔离槽内填充电介质；去除所述硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||