发明名称 |
发射调谐方法和利用方法制造的器件 |
摘要 |
一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法,包括典型地在晶圆上提供多个发光二极管,并用转换材料涂敷所述发光二极管,以使至少一些来自所述发光二极管的光穿过所述转换材料并被转换。来自发光二极管芯片的光发射包括来自转换材料的光,典型性地与发光二极管的光相组合。至少一些发光二极管芯片的发射特性被测量,并且发光二极管上的至少一些转换材料被移除,以改变发光二极管芯片的发射特性。本发明特别地可应用于在晶圆上制造发光二极管芯片,其中发光二极管芯片具有在目标发射特性的范围内的光发射特性。该目标范围可落入CIE曲线上的发射区域内,以减少对来自晶圆的发光二极管的装仓的需求。通过对发光二极管上的转换材料微加工,晶圆中的发光二极管芯片的发射特性可被调谐至期望的范围。 |
申请公布号 |
CN102047456A |
申请公布日期 |
2011.05.04 |
申请号 |
CN200980121201.4 |
申请日期 |
2009.03.31 |
申请人 |
克里公司 |
发明人 |
A·奇特尼斯;J·埃德蒙;J·C·布里特;B·P·克勒;D·T·埃默森;M·J·伯格曼;J·S·凯巴卢 |
分类号 |
H01L33/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/50(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李湘;高为 |
主权项 |
一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法,所述方法包括:提供多个发光二极管;用转换材料涂敷所述发光二极管,以使来自所述发光二极管的至少一些光穿过所述转换材料并被转换;测量至少一些所述发光二极管芯片的发射特性;以及移除至少一些所述发光二极管上的至少一些所述转换材料,以改变所述发光二极管芯片的所述发射特性,使得所述发光二极管芯片在目标发射特性的范围内发射。 |
地址 |
美国北卡罗来纳州 |