| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包含：工序a，准备在表面形成有第1导电型的半导体层(2)的半导体基板；工序b，覆盖半导体层(2)的规定的区域地形成第1掩模(30)；工序c，向形成有第1掩模(30)的半导体层(2)注入第2导电型的杂质离子，从而形成第2导电型的阱区域(6)；工序d，除去第1掩模(30)的一部分，使第1掩模(30)的厚度(t1)减少；工序e，使用光刻蚀法，形成覆盖阱区域(6)的一部分的第2掩模(34)；工序f，向形成有厚度减少的第1掩模(30’)及第2掩模(34)的半导体层(6)注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN101584029B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200780049952.0 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 桥本浩一;桥本伸;江头恭子 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包含：工序a，准备在表面形成有第1导电型的半导体层的半导体基板；工序b，覆盖所述半导体层的规定的区域地形成第1掩模；工序c，向形成有所述第1掩模的所述半导体层注入第2导电型的杂质离子，从而形成第2导电型的阱区域；工序d，除去所述第1掩模的一部分，使所述第1掩模的厚度减少；工序e，使用光刻蚀法，形成覆盖所述阱区域的一部分的第2掩模；工序f，向形成有所述厚度减少的第1掩模及所述第2掩模的所述半导体层注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域，在所述工序d和所述工序e之间，进而包含工序h，形成覆盖所述厚度减少的第1掩模的侧壁形成用膜，所述工序e，包含：工序e1，在所述侧壁形成用膜之上形成覆盖所述阱区域的一部分的抗蚀剂层；和工序e2，蚀刻所述侧壁形成用膜及所述抗蚀剂层，由所述侧壁形成用膜形成所述第2掩模的同时，形成所述侧壁，所述工序f，是向形成有所述第2掩模、所述厚度减少的第1掩模及所述侧壁的所述半导体层注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||