形成浅沟槽隔离结构的方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种形成浅沟槽隔离结构的制造方法及一种半导体器件的制造方法，该形成浅沟槽隔离结构的方法包括：提供一硅片；在硅片上形成半导体衬底；对半导体衬底进行刻蚀，在硅片的区域和边缘区域的半导体衬底中形成围绕硅片中心对称分布的至少100个沟槽；在所述沟槽内形成覆盖沟槽的侧壁和底面垫氧化物层，其中在硅片边缘区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度大于在硅片区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度；在沟槽内垫氧化物层上填充氧化物，使沟槽内氧化物的表面与半导体衬底表面在同一个平面。本发明改善了硅片的变形现象，使硅片的形变减小，从而提高了该硅片边缘区域的利用率。

主权项

一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括：提供一硅片，该硅片中具有半导体衬底；对半导体衬底进行刻蚀，在硅片的中央区域和边缘区域的半导体衬底中形成围绕硅片中心对称分布的至少100个沟槽；在所述沟槽内形成覆盖沟槽的侧壁和底面垫氧化物层，其中在硅片边缘区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度大于在硅片中央区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度；在沟槽内垫氧化物层上填充氧化物，使沟槽内氧化物的表面与半导体衬底表面在同一个平面。