发明名称 |
有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法 |
摘要 |
一种有源矩阵基板,该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分,其特征在于:具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置;上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管;在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口,和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。 |
申请公布号 |
CN101369579B |
申请公布日期 |
2011.05.04 |
申请号 |
CN200810213232.X |
申请日期 |
1996.10.02 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
佐藤尚 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
臧霁晨;刘宗杰 |
主权项 |
一种有源矩阵基板,包括:开关元件,配制成与扫描线和信号线的交叉点一致,且象素电极配制成与开关元件一致;防止静电破坏用元件,利用建立在上述扫描线和上述信号线的至少一个之间的薄膜晶体管,或与上述扫描线和上述信号线中至少一个在电气上等价的区,和公共电气保护区,上述防止静电破坏用元件包含二极管,其中薄膜晶体管中的栅极电极层、源极电极层和漏极电极层互相连接;和第1开口,通过选择性地除去上述栅极电极层上的绝缘膜形成,第2开口,通过选择性地除去上述源极电极层和漏极电极层上的绝缘膜形成,其中经由上述第1及第2开口,用和上述象素电极相同材料构成的导电性材料层连接上述栅极电极层、源极电极层和漏极电极层。 |
地址 |
日本东京都 |