| 发明名称 | 电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器及其制造方法，所述电容器包括：第一电极，位于所述第一电极上的第一电介质层，位于所述第一电介质层上的硅纳米晶，位于所述硅纳米晶和未被硅纳米晶覆盖的第一电介质层上的第二电介质层，位于所述第二电介质层上的第二电极。所述电容器的制造过程基于传统技术，工艺简单；本发明通过硅纳米晶提高了电容器的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN102044569A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200910197614.2 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种电容器，其特征在于，包括第一电极，位于所述第一电极上的第一电介质层，位于所述第一电介质层上的硅纳米晶，位于所述纳米晶体和未被硅纳米晶覆盖的第一电介质层上的第二电介质层，位于所述第二电介质层上的第二电极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||