半导体装置

摘要

本发明提供一种具有沟槽栅极结构和沟槽式接触结构的半导体装置，能实现低导通电阻的同时，使单元的尺寸极小。本发明的半导体装置具有：基极层(3)，具有第一导电型；源极层(4)，形成在基极层(3)上，具有第二导电型；绝缘膜(5)，形成在源极层(4)上。还具有：多个栅极结构(GT)，贯通基极层(4)；多个导电部(8)，贯通绝缘膜(5)及源极层(4)，与源极层(4)及基极层(3)电连接。另外，栅极结构(GT)在俯视图中形成为条纹状。另外，导电部(8)与基极层(3)连接的部分在俯视图中为条纹状，形成在栅极结构(GT)间。进而，栅极结构(GT)和导电部(8)间的源极层(4)和基极层(3)接触的部分的尺寸为0.36μm以上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：基极层，具有第一导电型；源极层，形成在所述基极层上，并且具有第二导电型；绝缘膜，形成在所述源极层上；多个栅极结构，贯通所述基极层；多个导电部，贯通所述绝缘膜以及所述源极层，并且与所述源极层以及所述基极层电连接；以及源极电极，形成在所述绝缘膜上，并且与所述导电部电连接，所述栅极结构在俯视图中形成为条纹状，所述导电部与所述基极层连接的部分在俯视图中在所述栅极结构间与该栅极结构隔开，且与该栅极结构的所述条纹状的方向平行地形成，所述栅极结构和所述导电部之间的所述源极层和所述基极层接触的部分的尺寸为0.36μm以上且0.43μm以下。