具有浮动栅的非易失性存储器及其形成方法

摘要

本发明提供一种具有浮动栅的非易失性存储器及其形成方法，其中存储器包括复数个存储单元，其中，每一个存储单元包括：一衬底，在该衬底上的一源区、一漏区和两隔离区；一遂穿电介质层，形成于所述衬底表面；复数个浮动栅，形成于所述遂穿电介质层上；一栅间介质层，形成于所述浮动栅的表面；一控制栅，形成于所述的栅间介质层上；两侧墙，形成于所述控制栅的两侧；其中所述的复数个浮动栅为复数个纳米晶硅丘浮动栅。通过以上所述的技术方案，存储单元上具有高k遂穿电介质层；提供更低的电子势垒高度和更大的物理厚度；纳米晶硅丘浮动栅允许更薄的遂穿电介质层和更低的擦除电压；从而存储器可以在编程效率和数据保持性方面得到改善。

主权项

具有浮动栅的非易失性存储器，其包括复数个存储单元，其中，每一个存储单元包括：一衬底，在该衬底上的一源区、一漏区和两隔离区；一遂穿电介质层，形成于所述衬底表面；复数个浮动栅，形成于所述遂穿电介质层上；一栅间介质层，形成于所述浮动栅的表面；一控制栅，形成于所述的栅间介质层上；两侧墙，形成于所述控制栅的两侧；其特征在于：所述的复数个浮动栅为复数个纳米晶硅丘浮动栅。