包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法。具体地，本发明涉及制造包括金属硅化物层的半导体器件的方法，以及一种通过制造具有均匀厚度的细长金属硅化物层而与基板掺杂类型无关的方法形成的器件。平坦的空区通过硅基板的非晶化的表面层与绝缘层的分离而产生，金属源通过接触孔经过与空区连接的绝缘层进入空区，热处理将空区中的金属转换为金属硅化物。该分离通过将非晶硅转换为晶体硅而引起。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：a)直接在硅基板的第一区域上以及在所述硅基板的邻近所述第一区域的第二区域上方形成绝缘层；b)在所述绝缘层与所述硅基板之间的所述第一区域中形成第一空区；c)穿过所述绝缘层形成第一孔，其中所述第一孔与所述第一空区连接；d)将金属通过所述第一孔沉积到所述第一空区中；以及e)对沉积在所述第一空区中的所述金属施加第二热处理。