| 发明名称 | 由卤代硅烷制备硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及由卤代硅烷制备硅的方法。在第一步中，将卤代硅烷在产生等离子体放电的情况下转化为卤化聚硅烷，随后在第二步中在加热下分解为硅。 | ||
| 申请公布号 | CN101193820B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200680017874.1 | 申请日期 | 2006.05.23 |
| 申请人 | 斯伯恩特私人有限公司 | 发明人 | N·奥纳 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I;B01J12/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 由卤代硅烷制备硅的方法，其特征在于，在第一步中，将卤代硅烷在产生等离子体放电的情况下转化为卤化聚硅烷，随后在第二步中在加热下分解为硅。 | ||
| 地址 | 卢森堡卢森堡 | ||