| 发明名称 | 半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件 | ||
| 摘要 | 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101409231B | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200810179947.8 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 大前晓;有持佑之;御友重吾;风田川统之;日野智公 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种生长半导体层的方法，其包括：在六方晶体结构基板的(1‑100)面上生长具有(11‑22)或(10‑13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||