| 主权项 |
一种高电压(boosted voltage)检测电路，其经组态以检测一由一高电压产生电路产生之高电压并产生一用于控制该高电压产生电路的检测信号，该高电压检测电路包含：一反馈单元，其经组态以接收由该高电压产生电路产生之该高电压并产生一输出电压；一参考电压接收单元，其经组态以接收一参考电压并产生一输出电压；及一检测信号产生单元，其经组态以比较一自该反馈单元接收到之输出电压及一自该参考电压接收单元接收到之输出电压，且根据该比较之结果产生该检测信号，其中由该高电压检测电路消耗之一电流量及该高电压检测电路之一回应时间视该检测信号之一状态而变化。如请求项1之电路，其中由该高电压检测电路消耗之该电流量在该检测信号被启用时较大。如请求项1之电路，其中由该检测信号产生单元消耗之电流量视该检测信号之该状态而变化。如请求项3之电路，其中该检测信号产生单元包含：一第一差动放大器，其经组态以在一第一操作模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大之一结果输出该检测信号；及一第二差动放大器，其经组态以在一第二操作模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大及该检测信号之一结果输出该检测信号，其中由该第二差动放大器消耗之电流量在该检测信号被启用时较大。如请求项4之电路，其中该反馈单元包含：一第一电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；一第二电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；及一第三电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压，其中该第一电压分配单元至该第三电压分配单元的输出节点连接至一节点，来自该反馈单元之该输出电压系输出至该节点，且该第一电压分配单元至该第三电压分配单元在该第一操作模式期间操作，仅该第三电压分配单元在该第二操作模式期间操作，且仅该第二电压分配单元及该第三电压分配单元在一第三操作模式期间操作。如请求项5之电路，其中该参考电压接收单元包含一经组态以接收并分配该参考电压之电压分配单元。如请求项1之电路，其中由该检测信号产生单元及该反馈单元消耗之该电流量视该检测信号之该状态而变化。如请求项7之电路，其中该检测信号产生单元包含：一第一差动放大器，其经组态以在一第一操作模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大之一结果输出该检测信号；及一第二差动放大器，其经组态以在一第二操作模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大之一结果输出该检测信号，其中由该第二差动放大器消耗之该电流量在该检测信号被启用时较大。如请求项8之电路，其中该反馈单元包含：一第一电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；一第二电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；及一第三电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压，其中该第一电压分配单元至该第三电压分配单元的输出节点连接至一节点，来自该反馈单元之该输出电压系输出至该节点，该第一电压分配单元至该第三电压分配单元在该第一操作模式期间操作，当该检测信号被禁用时仅该第三电压分配单元在该第二模式期间操作，且当该检测信号被启用时仅该第二电压分配单元及该第三电压分配单元在该第二模式期间操作，且仅该第二电压分配单元及该第三电压分配单元在一第三操作模式期间操作。如请求项9之电路，其中该参考电压接收单元包含一经组态以接收并分配该参考电压之电压分配单元。一种半导体记忆装置，其包含：一高电压产生电路，其经组态以回应于一振荡信号而产生一高电压；一高电压检测电路，其经组态以检测该高电压且回应于该检测到之高电压及一参考电压而产生一检测信号；及一振荡器，其经组态以回应于该检测信号而产生该振荡信号，其中该高电压检测电路包含：一反馈单元，其经组态以接收由该高电压产生电路产生之该高电压并产生一输出电压；一参考电压接收单元，其经组态以接收该参考电压并产生一输出电压；及一检测信号产生单元，其经组态以比较一自该反馈单元接收到之输出电压及一自该参考电压接收单元接收到之输出电压，且根据该比较之结果而产生该检测信号，且其中在一自我再新模式期间由该高电压检测电路消耗之一电流量及该高电压检测电路之一回应时间视该检测信号之一状态而变化。如请求项11之半导体记忆装置，其中由该高电压检测电路消耗之该电流量在该检测信号被启用时较大。如请求项11之半导体记忆装置，其中由该检测信号产生单元消耗之电流量视该检测信号之该状态而变化。如请求项13之半导体记忆装置，其中该检测信号产生单元包含：一第一差动放大器，其经组态以在该半导体记忆装置之一主动模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大之一结果输出该检测信号；及一第二差动放大器，其经组态以在该半导体记忆装置之该自我再新模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大之一结果输出该检测信号，其中由该第二差动放大器消耗之电流量在该检测信号被启用时较大。如请求项14之半导体记忆装置，其中该反馈单元包含：一第一电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；一第二电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；及一第三电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压，其中该第一电压分配单元至该第三电压分配单元的输出节点连接至一节点，来自该反馈单元之该输出电压系输出至该节点，该第一电压分配单元至该第三电压分配单元在该主动模式期间操作，仅该第三电压分配单元在该自我再新模式期间操作，且仅该第二电压分配单元及该第三电压分配单元在该半导体记忆装置之一待用模式期间操作。如请求项15之半导体记忆装置，其中该参考电压接收单元包含一经组态以接收并分配该参考电压之电压分配单元。如请求项11之半导体记忆装置，其中由该检测信号产生单元及该反馈单元消耗之该电流量视该检测信号之该状态而变化。如请求项17之半导体记忆装置，其中该检测信号产生单元包含：一第一差动放大器，其经组态以在该半导体记忆装置之一主动模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为放大之该结果输出该检测信号；及一第二差动放大器，其经组态以在该半导体记忆装置之该自我再新模式期间差动地放大自该反馈单元接收到之该输出电压及自该参考电压接收单元接收到之该输出电压，且作为该放大之该结果输出该检测信号，其中由该第二差动放大器消耗之该电流量在该检测信号被启用时较大。如请求项18之半导体记忆装置，其中该反馈单元包含：一第一电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；一第二电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压；及一第三电压分配单元，其经组态以接收并分配该高电压，其中该第一电压分配单元至该第三电压分配单元的输出节点连接至一节点，来自该反馈单元之该输出电压系输出至该节点，该第一电压分配单元至该第三电压分配单元在该主动模式中操作，当该检测信号被禁用时仅该第三电压分配单元在该自我再新模式期间操作，且当该检测信号被启用时仅该第二电压分配单元及该第三电压分配单元在该自我再新模式期间操作，且该第二电压分配单元及该第三电压分配单元在该半导体记忆装置之一待用模式期间操作。如请求项19之半导体记忆装置，其中该参考电压接收单元包含一经组态以接收并分配该参考电压之电压分配单元。一种控制一半导体记忆装置中之一高电压检测电路的方法，该半导体记忆装置包括：一高电压产生电路，其经组态以产生一高电压；及一高电压检测电路，其经组态以检测该高电压并产生一用于控制该高电压产生电路的检测信号，该方法包含在该半导体记忆装置之一自我再新模式期间与该检测信号被禁用时相比较增加该检测信号被启用时将会由该高电压检测电路消耗之电流量。如请求项21之方法，其中产生该用于控制该高电压产生电路之检测信号包含：在一反馈单元处接收该高电压并产生一第一输出电压；在一参考电压接收单元处接收一参考电压并产生一第二输出电压；及在一检测信号产生单元处比较该第一输出电压与该第二输出电压并根据比较之结果产生该检测信号，且其中增加在该高电压检测电路中将会消耗之该电流量包含在该检测信号被启用时增加将会由包括在该高电压检测电路中之该检测信号产生单元消耗之该电流量。如请求项21之方法，其中产生该用于控制该高电压产生电路之检测信号包含：在一反馈单元处接收该高电压并产生一第一输出电压；在一参考电压接收单元处接收一参考电压并产生一第二输出电压；及在一检测信号产生单元处比较该第一输出电压与该第二输出电压并根据比较之该结果产生该检测信号，且其中增加将会由该高电压检测电路消耗之该电流量包含在该检测信号被启用时增加将会由该检测信号产生单元及该反馈单元消耗之该电流量。一种高电压检测电路，其包含：一反馈单元，其经组态以接收一由一高电压产生电路产生之高电压并产生一第一输出电压；一参考电压接收单元，其经组态以接收一参考电压并产生一第二输出电压；及一检测信号产生单元，其包括一第一放大器及一第二放大器，该检测信号产生单元经组态以：在一主动模式中在该第一放大器处比较该第一输出电压与该第二输出电压且根据该比较之结果产生一第一检测信号，在一待用模式中在该第二放大器处比较该第一输出电压与该第二输出电压且根据该比较之结果产生一第二检测信号，及在一自我再新模式中在该第二放大器处比较该第一输出电压与该第二输出电压且根据该比较之结果产生一第三检测信号，其中在该自我再新模式期间当该第三检测信号被启用时由该高电压检测电路消耗之一电流量增加及该高电压检测电路之一回应时间增加。 |
