| 主权项 |
一种氧氯化作用催化剂之组成物，包括：(a)具一至少重量百分比10%催化含量之一氧氯化作用催化剂，该氯化催化剂之一表面积系大于25 m2/g，小于540m2/g，其中该氧氯化作用催化剂具有一支撑材料，并有一活性盐组成物分布于该支撑材料上；及(b)一稀释剂，具有一表面积0.1 m2/g至25 m2/g，其中该支撑材料和该稀释剂具有不同化学成分，该催化剂和该稀释剂的平均粒径系5μm至300μm之间。如申请专利范园第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该稀释剂为一矽酸铝。如申请专利范间第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该氧氯化作用催化剂组成物包括10重量百分比(wt%)到90重量百分比的该氧氯化作用催化剂，及90重量百分比到10重量百分比的该稀释剂。一种氧氯化作用催化剂之组成物，包括具有一有效催化含量之一氧氯化作用催化剂，和一包括矽酸铝粒子之稀释剂，其中该些稀释剂例子之表面积0.1 m2/g至25 m2/g。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该些稀释剂粒子表面积1 m2/g至20 m2/g。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该些稀释剂粒子之表面积3 m2/g至16 m2/g。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该些稀释剂之平均粒径(average particle size)为该氧氯化作用催化剂之平均粒径的25%至200%。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该稀释剂之压实体积密度(tamped bulk density)为该氧氯化作用催化剂之压实体积密度的25%至200%。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该稀释剂之磨损百分比(attrition%)为该氧氯化作用催化剂之磨损百分比的50%至150%。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该矽酸铝包括偏高岭土(meta-kaolin)、瑕烧后经过特性放热(characteristic exotherm)的高领土或两者之混合物。如申请专利范围第10项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该矽酸铝为瑕烧后经过特性放热(characteristic exotherm)的一高岭土。如申请专利范围第11项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该高岭土系以微球体(microspheres)形式存在。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该活性盐组成物包括一金属铜盐类。如申请专利范围第13项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该活性盐组成物包括：占该氧氯化作用催化剂总重2 wt%到12 wt%的铜，占该氧氯化作用催化剂总重0.2wt%到3 wt%的一硷金属(alkali metal)，占该氧氯化作用催化剂总重0.1 wt%到14 wt%的一稀土金属，和占该氧氯化作用催化剂总重0.05 wt%到6 wt%的一硷性金属(alkaline metal)。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该支撑材料和该稀释剂在化学特性上不同。如申请专利范围第15项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该支撑材料为具有一表面积大于50 m2/g之氧化铝(alumina)。一种氧氯化作用催化剂之组成物，包括具有一有效催化含量之一氧氯化作用催化剂，和一包括矽酸铝粒子之稀释剂，其中该氧氯化作用催化剂具有一表面积25 m2/g至300 m2/g。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该氧氯化作用催化剂具有一表面积50 m2/g至200 m2/g。如申请专利范围第1项所述之氧氯化作用催化剂之组成物，其中该氧氯化作用催化剂具有一表面积70 m2/g至150 m2/g。一种用以将一碳氢氧化物氧氯化之制程，该制程包括将反应物包括该碳氢氧化物、一氯来源和一氧来源，与任何申请专利范围第1-19项之该氧氯化作用催化剂组成物接触，以制备一含氯之碳氢化合物之步骤。如申请专利范围第20项所述之制程，其中该含氯之碳氢化合物为1,2-二氯乙烷(1-2-dichloroethane)。如申请专利范围第20项所述之制程，其中该碳氢化合物为乙烯。如申请专利范围第20项所述之制程，其中该氯来源为氯化氢。如申请专利范围第20项所述之制程，其中该氧来源为氧气、空气、富含氧气之空气、氧气和一惰性载送气体、或前述之一组合。如申请专利范围第20项所述之制程，其中该制程之反应物为乙烯、氯化氢和该氧来源，其中该氧来源为氧气、空气、富含氧气之空气、氧气和一惰性载送气体、或前述之一组合。如申请专利范围第20项所述之制程，其中制程系在一最佳操作温度Topt(2)下进行，此最佳操作温度Topt(2)即为使氯化氢转化率和乙烯效率达到最佳化时之温度。如申请专利范围第26项所述之制程，其中最佳操作温度Topt(2)和另一个不使用该矽酸铝稀释剂但反应器、反应物、反应物进料量、生成速率和氧氯化作用催化剂都相同之氧氯化程序的最佳操作温度Topt(1)相比，Topt(2)比Topt(1)至少高出1℃。如申请专利范围第20项所述之制程，其中该制程之反应温度在210℃到260℃之间。一种用以将一碳氢氧化物氧氯化之制程，该制程包括将反应物包括该碳氢化合物、一氯来源和一氧来源，与一氧氯化作用催化剂组成物接触，以制备一含氯之碳氢化合物之步骤，该氧氯化作用催化剂组成物包括具一有效催化含量ㄓ一氧氯化作用催化剂和一惰性稀释剂，其中该制程系在一最佳操作温度Topt(2)下进行，此最佳操作温度Topt(2)即为使氯化氢转化率和乙烯效率达到最佳化时之温度。而Topt(2)和不使用该惰性稀释剂但反应器、反应物、反应器进料量、生成速率和氧氯化作用催化剂都相同之另一氧氯化程序的最佳操作温度Topt(1)相比，此最佳操作温度Topt(1)即为使氯化氢转化率和乙烯效率达到最佳化时之温度，Topt(2)比Topt(1)至少高出1℃。 |
