| 主权项 |
一种流体喷射装置，其包含：一第一金属层，其包含一位址路径部分及一非位址路径部分，该非位址路径部分包含一接地部分；一第二金属层，其系铺设于该第一金属层上方，并包含具有一第一电阻的一第一导电部分及具有大于该第一电阻之一第二电阻的一第二传导部分，其中该第一导电部分绕径于该非位址路径部分上，且该第二传导部分在电气上系与该接地部分隔离并在电气上与该第一导电部分隔离。如申请专利范围第1项之流体喷射装置，其中该第二传导部分绕径于该位址路径部分上。如申请专利范围第2项之流体喷射装置，其中该位址路径部分为资料路径、选择路径、或致能路径中之一者。如申请专利范围第1项之流体喷射装置，其中该第二传导部分包含钽。如申请专利范围第1项之流体喷射装置，其中：该非位址路径部分包含一第一电晶体部分，该第一电晶体部分系大体上平行于该位址路径部分而配置。如申请专利范围第5项之流体喷射装置，其中该第一导电部分绕径于该第一电晶体部分上。如申请专利范围第6项之流体喷射装置，其中：该非位址路径部分更包含一第二电晶体部分，该第二电晶体部分系大体上平行于该位址路径部分而配置，该位址路径部分介于该第一电晶体部分与该第二电晶体部份之间。如申请专利范围第7项之流体喷射装置，其中该第二金属层更包含一第二导电部分，该第二导电部分绕径于该第二电晶体部份上。如申请专利范围第5项之流体喷射装置，其中该第一金属层包含一第一逻辑部分，该第一逻辑部分系配置在该位址路径部分与该第一电晶体部分之间。如申请专利范围第9项之流体喷射装置，其中该第二传导部分绕径于该位址路径部分上，并绕径于该第一逻辑部分上。如申请专利范围第9项之流体喷射装置，其中该第一逻辑部分与该第一电晶体部分分开至少30微米(um)。如申请专利范围第9项之流体喷射装置，其中该第一逻辑部分与该第一电晶体部分分开至少100微米(um)。如申请专利范围第9项之流体喷射装置，其更包含铺设在该第一逻辑部分下方的一逻辑元件及至少部分铺设在该第一电晶体部分下的一对应驱动电晶体，其中该逻辑元件与该对应驱动电晶体分开至少30微米(um)。如申请专利范围第13项之流体喷射装置，其中该逻辑元件与该对应驱动电晶体分开至少100微米。如申请专利范围第9项之流体喷射装置，其中该第一金属层包含一第一接地部分，该第一接地部分配置在该第一逻辑部分与该第一电晶体部分之间。如申请专利范围第1项之流体喷射装置，其中：该第二金属层更包含一第二导电部分，该第二导电部分绕径于该第一导电部分和该第二传导部份之间。如申请专利范围第16项之流体喷射装置，其中该第二传导部分绕径于该位址路径部分上。如申请专利范围第1项之流体喷射装置，其中：该第二金属层更包含一第二导电部分及一第三导电部分，该等第一与第二导电部分绕径于该第二传导部分之第一与第二相对侧上，且该第三导电部分绕径于该第一相对侧上之该第一导电部分与该第二传导部分之间及在该第二传导部分之该第二相对侧上之该第二导电部分与该第二传导部分之间。如申请专利范围第18项之流体喷射装置，其中：该第一导电部分电气式地连接至在第一发射电阻行中之一第一基元组的发射电阻；该第二导电部分电气式地连接至在第二发射电阻行中之一第二基元组的发射电阻；且该第三导电部分电气式地连接至在该等第一和第二发射电阻行中之一第三基元组的发射电阻。 |
