| 主权项 |
一种资讯记录媒体，系藉由施加光照射或电气能源，以记录及/或再生资讯者，又，该资讯记录媒体含有作为第1金属成分之Hf或Hf与Zr，且含有作为第2金属成分之Cr，更含有包含O之Hf/Zr-Cr-O系材料层，且于该Hf/Zr-Cr-O系材料层中，该第1金属成分含有量为大于0原子%，且为30原子%以下，该第2金属成分含有量为7原子%以上，且为37原子%以下。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，其中前述Hf/Zr-Cr-O系材料层，系由式(1)：MQCrRO100-Q-R(原子%) (1)(式中，M表示第1金属成分，且Q及R分别为0≦Q≦3.0、7≦R≦37，且，20≦Q+R≦60)表示之材料实质地形成者。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，其中前述Hf/Zr-Cr-O系材料，更包含Si，且系由式(2)：MUCrVSiTO100-U-V-T(原子%) (2)(式中，M表示第1金属，且U、V及T分别为0≦U≦30、7≦V≦37及0≦T≦14，且20≦U+V+T≦60)表示之材料实质地形成者。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，其中前述Hf/Zr-Cr-O系材料层，系由式(11)：(MO2)N(Cr2O3)100-N(mol%) (11)(式中，M表示第1金属成分，且N为20≦N≦80)表示之材料实质地形成者。如申请专利范围第3项之资讯记录媒体，其中包含前述Si之Hf/Zr-Cr-O系材料层，系由式(21)：(MO2)X(Cr2O3)Y(SiO2)100-N(mol%) (21)(式中，M表示第1金属成分，且X及Y分别为20≦N≦70及20≦Y≦60，且60≦X+Y≦90)表示之材料实质地形成者。如申请专利范围第5项之资讯记录媒体，其中以前述式(21)表示之材料系以大略相同比例含有MO2与SiO2，且系以式(22)：(MSiO4)Z(Cr2O3)100-Z(mol%) (22)(式中，M表示第1金属成分，且Z为25≦Z≦67)表示者。一种资讯记录媒体，系藉由施加光照射或电气能源，以记录及/或再生资讯者，又，该资讯记录媒体含有作为第1金属成分之Hf或Hf与Zr，且含有作为第2金属成分之Cr，并且系由式(3)：(MO2)C(Cr2O3)E(D)F(SiO2)100-C-E-F(mol%) (3)(式中，M表示第1金属成分，且D为ZnS、ZnSe或ZnO，又，C、E及F分别为20≦C≦60、20≦E≦60及10≦F≦40，且60≦C+E+F≦90)表示之材料实质地形成者。如申请专利范围第7项之资讯记录媒体，其中以前述式(3)表示之材料系以大略相同之比例含有MO2与SiO2，且系以式(31)：(MSiO4)A(Cr2O3)B(D)100-A-B(mol%) (31)(式中，M表示第1金属成分，且D为ZnS、ZnSe或ZnO，又，A及B分别为25≦A≦54及25≦B≦63，且50≦A+B≦88)表示者。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，更包含有记录层。如申请专利范围第7项之资讯记录媒体，更包含有记录层。如申请专利范围第9项之资讯记录媒体，其中前述记录层包含选自于Ge-Sb-Te、Ge-Sn-Sb-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sn-Bi-Te、Ge-Sb-Bi-Te、Ge-Sn-Sb-Bi-Te、Ag-In-Sb-Te及Sb-Te之任一材料。如申请专利范围第10项之资讯记录媒体，其中前述记录层包含选自于Ge-Sb-Te、Ge-Sn-Sb-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sn-Bi-Te、Ge-Sb-Bi-Te、Ge-Sn-Sb-Bi-Te、Ag-In-Sb-Te及Sb-Te之任一材料。如申请专利范围第9项之资讯记录媒体，其中前述记录层膜厚小于15nm。如申请专利范围第10项之资讯记录媒体，其中前述记录层膜厚小于15nm。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，更包含有2个以上之记录层。如申请专利范围第7项之资讯记录媒体，更包含有2个以上记录层。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，系于基板之其中一表面，依序形成第1介电体层、记录层、第2介电体层及反射层，且前述第1介电体层及前述第2介电体层中至少1个介电体层系前述Hf/Zr-Cr-O系材料层，且连接前述记录层与界面。如申请专利范围第7项之资讯记录媒体，系于基板之其中一表面，依序形成第1介电体层、记录层、第2介电体层及反射层，且前述第1介电体层及前述第2介电体层中至少1个介电体层系前述Hf/Zr-Zn-O系材料层，且连接前述记录层与界面。如申请专利范围第1项之资讯记录媒体，系于基板之其中一表面，依序形成反射层、第2介电体层、记录层及第1介电体层，且前述第1介电体层及前述第2介电体层中至少1个介电体层系前述Hf/Zr-Zn-O系材料层，且连接前述记录层与界面。如申请专利范围第7项之资讯记录媒体，系于基板之其中一表面，依序形成反射层、第2介电体层、记录层及第1介电体层，且前述第1介电体层及前述第2介电体层中至少1个介电体层系前述Hf/Zr-Zn-O系材料层，且连接前述记录层与界面。一种资讯记录媒体制造方法，该资讯记录媒体系藉由施加光照射或电气能源，以记录及/或再生资讯者，又，该资讯记录媒体具有Hf/Zr-Cr-O系材料层，而该Hf/Zr-Cr-O系材料层含有作为第1金属成分之Hf或Hf与Zr，且含有作为第2金属之Cr，并且更含有O，而且该第1金属成分含有量为大于0原子%，且为30原子%以下，该第2金属成分含有量为7原子%以上，且为37原子%以下，又，该资讯记录媒体制造方法包含以溅镀法形成该Hf/Zr-Cr-O系材料层之程序。如申请专利范围第21项之资讯记录媒体制造方法，其中于以溅镀法形成前述Hf/Zr-Cr-O系材料层程序中，使用由式(10)：MJCrKO100-J-K(原子%) (10)(式中，M表示第1金属成分，且J及K分别为3≦J≦24及11≦K≦36，且34≦J+K≦40)表示之材料实质地形成之溅镀靶材。如申请专利范围第21项之资讯记录媒体制造方法，其中于以溅镀法形成前述Hf/Zr-Cr-O系材料层程序中，使用由式(20)：MGCrHSiLO100-G-H-L(原子%) (20)(式中，M表示第1金属成分，G、H及L分别为4≦G≦21、11≦H≦30及2≦L≦12，且34≦G+H+L≦40)表示之材料实质地形成之溅镀靶材，以形成含有Si之Hf/Zr-Cr-O系材料层。如申请专利范围第21项之资讯记录媒体制造方法，其中于以溅镀法形成前述Hf/Zr-Cr-O系材料层程序中，使用由式(110)：(MO2)n(Cr2O3)100-n(mol%) (110)(式中，M表示第1金属成分，n为20≦n≦80)表示之材料实质地形成之溅镀靶材。如申请专利范围第21项之资讯记录媒体制造方法，其中于以溅镀法形成前述Hf/Zr-Cr-O系材料层程序中，使用由式(210)：(MO2)x(Cr2O3)y(SiO2)100-x-y(mol%) (210)(式中，M表示第1金属成分，x及y分别20≦x≦70及20≦y≦60，且，60≦x+y≦90)表示之材料实质地形成之溅镀靶材，以形成含有Si之Hf/Zr-Cr-O系材料层。如申请专利范围第25项之资讯记录媒体制造方法，其中前述式(210)表示之材料系以大略相同之比例含有MO2与SiO2，且系以式(220)：(MSiO4)Z(Cr2O3)100-Z(mol%) (220)(式中，M表示第1金属成分，z为25≦z≦67)表示之材料。一种资讯记录媒体制造方法，该资讯记录媒体系藉由施加光照射或电气能源，以记录及/或再生资讯者，又，该资讯记录媒体具有由含有作为第1金属成分之Hf或Hf与Zr且含有作为第2金属成分之Cr的Hf/Zr-Cr-Zn-O系材料实质地形成之层，又，该资讯记录媒体制造方法包含以溅镀法形成由该Hf/Zr-Cr-Zn-O系材料实质地形成之层，且于其程序中，使用以式(30)：(MO2)c(Cr2O3)e(D)f(SiO2)100-c-e-f(mol%) (30)(式中，M表示第1金属成分，D为ZnS、ZnSe或ZnO，又，c、e及f分别为20≦c≦67、20≦e≦60及10≦f≦40，且60≦c+e+f≦90)表示之材料实质地形成之溅镀靶材。如申请专利范围第27项之资讯记录媒体制造方法，其中以前述式(30)表示之材料系以大略相同之比例含有MO2与SiO2，且系以式(310)：(MSiO4)a(Cr2O3)b(D)100-a-b(mol%) (310)(式中，M表示第1金属成分，且D为ZnS、ZnSe或ZnO，又，a及b分别为25≦a≦54及25≦b≦63，且50≦a+b≦88)表示之材料。 |
