多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法

主权项

一种多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法，包括下列步骤：准备一矽晶圆；对矽晶圆进行化学清洗；在矽晶圆背面沈积第一层多晶矽薄膜；在第一层多晶矽薄膜沈积完成后，重复执行相同的多晶矽薄膜沈积步骤，直至矽晶圆背面沈积预定层数且总厚度为1.0um~1.5um的多晶矽薄膜；对已完成多晶矽薄膜沈积的矽晶圆进行化学清洗。如申请专利范围第1项所述多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法，已完成化学清洗的矽晶圆将进一步进行一抛光制程。如申请专利范围第1或2项所述多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法，该矽晶圆背面系分段形成两层多晶矽薄膜。如申请专利范围第3项所述多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法，该多晶矽薄膜成长温度650℃~675℃。如申请专利范围第1或2项所述多阶段沈积多晶矽薄膜应用于增加矽晶圆外质去疵能力及降低挠曲度之方法，该化学清洗系采用湿式化学洗净(wet chemical cleaning)。