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一种制作金氧半导体电晶体之方法，包含有：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成至少一闸极；于该半导体基底上形成一保护层，且该保护层覆盖该闸极之表面；于该闸极邻接之该半导体基底内形成至少一凹槽；于该凹槽内形成一磊晶层；于该闸极邻接之该半导体基底内形成一离子轻掺杂区；以及于该闸极之侧壁上形成一侧壁子。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该闸极另包含有一介电层、一导电层位于该介电层上，以及一盖层位于该导电层上。如申请专利范围第1项所述之方法，其中于该凹槽内形成该磊晶层后另包含一移除该保护层的步骤。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该保护层包含有氮化矽。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该保护层厚度约为150至250埃。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该保护层厚度约为200埃。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该金氧半导体电晶体系为一P型金氧半导体电晶体。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该磊晶层包含有锗化矽。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该第一导电性金氧半导体电晶体系为一N型金氧半导体电晶体。如申请专利范围第9项所述之方法，其中该磊晶层包含有碳化矽。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该侧壁子另包含有一氧化矽衬垫层以及一氮化矽侧壁子。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该侧壁子另包含有一偏侧壁子，位于该闸极和该侧壁子之间。如申请专利范围第1项所述之方法，其中于该闸极之侧壁上形成该侧壁子之后，另包含于该闸极邻接之该半导体基底内形成一离子源极/汲极区。一种制作互补式金氧半导体电晶体之方法，包含有：提供一半导体基底，且该半导体基底包含有至少一第一导电性电晶体区用以制备第一导电性电晶体、至少一第二导电性电晶体区用以制备第二导电性电晶体、以及一绝缘物位于该第一导电性电晶体区和第二导电性电晶体区之间；分别形成一闸极于该第一导电性电晶体区与该第二导电性电晶体区；于该半导体基底上形成一第一保护层，且该第一保护层覆盖各该闸极之表面；于该第一导电性电晶体区的该闸极邻接之该半导体基底内形成至少一第一凹槽；于该第一凹槽内形成一第一磊晶层；于该第一导电性电晶体区的该闸极邻接之该半导体基底内形成一第一离子轻掺杂区；以及于各该闸极之侧壁上分别形成一侧壁子。如申请专利范围第14项所述之方法，其中各该闸极均另包含有一介电层、一导电层位于该介电层上，以及一盖层位于该导电层上。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该第一保护层包含有氮化矽。如申请专利范围第16项所述之方法，其中该第一保护层厚度约为150至250埃。如申请专利范围第17项所述之方法，其中该第一保护层厚度约为200埃。如申请专利范围第14项所述之方法，其中各该侧壁子均另包含有一氧化矽衬垫层以及一氮化矽侧壁子。如申请专利范围第14项所述之方法，其中各该侧壁子均另包含有一偏侧壁子，位于各该闸极和各该侧壁子之间。如申请专利范围第14项所述之方法，其中于该第一凹槽内形成该第一磊晶层后另包含一移除该第一保护层的步骤。如申请专利范围第21项所述之方法，其中在移除该第一保护层之后，该方法另包含有：于该半导体基底上形成一第二保护层，且该第二保护层覆盖各该闸极之表面；于该第二导电性电晶体区的该闸极邻接之该半导体基底内形成至少一第二凹槽；于该第二凹槽内形成一第二磊晶层；移除该第二保护层；于形成各该侧壁子之前，在该第二导电性电晶体区之该闸极邻接之该半导体基底内形成一第二离子轻掺杂区。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该第二保护层包含有氮化矽。如申请专利范围第23项所述之方法，其中该第二保护层厚度约为150至250埃。如申请专利范围第24项所述之方法，其中该第二保护层厚度约为200埃。如申请专利范围第14项所述之方法，其中形成该第一磊晶层后，该方法另包含有：于该第二导电性电晶体区的该闸极邻接之该半导体基底内形成至少一第二凹槽；于该第二凹槽内形成一第二磊晶层；移除该第一保护层；于形成各该侧壁子之前，在该第二导电性电晶体区之该闸极邻接之该半导体基底内形成一第二离子轻掺杂区。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该第一导电性电晶体包含有P型金氧半导体电晶体，且该第二导电性电晶体包含有N型金氧半导体电晶体。如申请专利范围第27项所述之方法，其中该第一磊晶层包含有锗化矽，且该第二磊晶层包含有碳化矽。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该第一导电性电晶体包含有N型金氧半导体电晶体，且该第二导电性电晶体包含有P型金氧半导体电晶体。如申请专利范围第29项所述之方法，其中该第一磊晶层包含有碳化矽，且该第二磊晶层包含有锗化矽。一种金氧半导体电晶结构，包含有：一闸极，形成于一半导体基底上；二架高磊晶层，分别设于该闸极之相对侧边之该半导体基底中；一侧壁子，设于该闸极之侧壁上，并跨设于部分各该架高磊晶层上方；以及二掺杂区，分别设于该闸极之相对侧边之该半导体基底中。如申请专利范围第31项所述之结构，其中该闸极另包含有一介电层、一导电层位于该介电层上，以及一盖层位于该导电层上。如申请专利范围第31项所述之结构，其中该金氧半导体电晶体包含有P型金氧半导体电晶体。如申请专利范围第33项所述之结构，其中该磊晶层包含有锗化矽。如申请专利范围第31项所述之结构，其中该金氧半导体电晶体包含有N型金氧半导体电晶体。如申请专利范围第35项所述之结构，其中该磊晶层包含有碳化矽。如申请专利范围第31项所述之结构，其中该侧壁子另包含有一偏侧壁子，位于该闸极和该侧壁子之间。如申请专利第31项所述之结构，其中该侧壁子另包含有一氧化矽衬垫层以及一氮化矽侧壁子。 |
